英诺赛科展示65W到240WGaN解决方案，加速USBPD3.1应用

11 月 26 日，在 2021USB PDamp，Type—C 亚洲展上，英诺赛科展示了 All GaN 解决方案，与此同时，英诺赛科高级产品应用经理邹艳波发表了《高性能 All GaN 方案为 USB PD 3.1 应用加速》的主题演讲，现场解析更多 GaN 市场价值及应用新动向。

英诺赛科高级产品应用经理邹艳波

USB PD 3.1 快充标准带来了更高的输出电压，更高的功率和功率密度除了手机，平板，笔记本电脑外，还可以应用于显示器，相机，无人机，扫地机器人，电动工具以及电动自行车等多个场景邹艳波指出，目前，英诺赛科的 GaN 器件已经实现全场景覆盖

不过，USB PD 3.1 协议的推出对电源设计也提出了新的挑战而采用氮化镓制成的功率器件凭借其出色的效率及高速切换频率的优势，能完美应对电源设计中的难题

为此，英诺赛科推出了从 65W 到 240W 全系列 All GaN 解决方案，让功率密度和效率进一步提升针对 All GaN 方案，英诺赛科推出了 150V GaN 芯片，与目前市面上最高标准的 150V Si MOS 相比，性能提升 2—3 倍

据邹艳波介绍，英诺赛科 All GaN 方案有以下三种:65W1C，140W 28V/5A 和 240W 48V/5A。

其中，基于 150V GaN 性能，在原方案上升级的 65W All GaN 方案，功率密度可达 31W/in3在 90V 交流电下效率为 93.4%，在 230V 下效率达 94.7%

140W 方案可支持 28V/5A 输出，采用无桥 PFC+ACF 架构，功率密度达 30W/in3，大小与传统 65W 快充尺寸相当。

240W方案采用 Totem pole 无桥 PFC+LLC 设计，功率密度高达 41W/in3，效率达 96.5%，尺寸仅为一张银行卡大小。雷诺MéganeE-TECH车型搭载第3代骁龙汽车数字座舱平台，该系统由支持音频，视觉和导航功能的大尺寸信息影音触控屏组成，支持谷歌语音助手以及多种安卓内置应用。。

邹艳波表示，在量产高低压氮化镓器件的基础上，英诺赛科也致力于做全链路高效，高频和高功率密度的方案，从前端电网侧，转到我们的充电器以及到手机内部，实现整个从端到端的解决方案，帮助大家提升能效值得一提的是，在 IDM 模式助力下，英诺赛科每两代产品升级，可使单片晶圆的芯片数量增加 2 倍左右

得益于丰富的 InnoGaN 系列产品线，英诺赛科在消费类电源市场高歌猛进，当前出货量已突破 4000 万颗，已经被联想，努比亚，魅族，ANKER，绿联，倍思，品胜，MOMAX，ROCK，REMAX，QCY，Lapo，tegic等多家知名品牌和厂商的上百款产品所采用，并与合作伙伴共同推出优秀的氮化镓应用方案。

对于未来发展，邹艳波表示，All GaN 方案在绿色能源，数据中心能源，智能电动，直流楼宇等四大领域都将有广泛的应用机会他指出，英诺赛科在‘GaN’一件有意义的事情如果用氮化镓去提升整个供电电路 5% 的效能，以全球每年电能消耗 27 万亿千瓦时来计算，可以实现 10 亿吨的碳减排